产品描述

99.99%高纯氧化铝造粒粉采用高纯氧化铝原料制备，具有高纯度、高致密化能力、优异的机械强度以及稳定的烧结性能。

产品烧结后具有高密度、低吸水率和优异的抗弯强度，适用于对材料纯度和性能要求较高的先进陶瓷领域。

  

具体应用

半导体及液晶面板制造设备零部件

用途：用于干压/等静压成形制造半导体刻蚀机腔体衬里、等离子体抗耐蚀件、晶圆吸盘（静电吸盘）、陶瓷搬运臂等。

为什么必须用 4N：半导体制造对微量金属杂质（如 $text{Fe, Na, Ca, Si}$）极度敏感，4N 高纯粉能最大程度避免在刻蚀或高温过程中对晶圆造成微量金属污染。

蓝宝石单晶生长原料及耐火材料

用途：作为高纯蓝宝石单晶（LED 衬底、智能手机/手表镜头盖板、军工光学窗口）的烧结原料或熔炼填料，以及制造蓝宝石生长用的高纯坩埚。

高端电子陶瓷与基板（如 DBC/AMB 基板）

用途：制造用于高功率绝缘器件、功率半导体模块（IGBT）的高热导率、高绝缘性氧化铝陶瓷基板和微波介质陶瓷部件。

精密耐磨与医疗级陶瓷部件

用途：人工关节（如氧化铝股骨头/髋关节）、高精度陶瓷轴承、高压水刀喷嘴、精密阀芯及半导体级高纯计量泵阀。

高压/高频绝缘与光学陶瓷件

用途：透光氧化铝陶瓷（PCA，用于高压钠灯、金属卤化物灯发光管）、激光器反射腔体、高压电力绝缘件等。

技术指标

项目	指标
材质	氧化铝
Al₂O₃含量	≥99.99%
颜色	白色
松装密度	1.2 g/cm³
生坯密度	2.4 g/cm³
烧结密度	3.9 g/cm³
D50粒径	0.5 μm
比表面积	4.6 m²/g
吸水率	0%
抗弯强度	500 MPa
收缩率	16.2%
烧成条件	1550℃×3h

核心优点

1. 极高的化学纯度与抗污染能力

• 超低杂质含量：总杂质含量≤0.01%，极大程度地减少了铁，钠等杂质对电学性能和光学性能的干扰

• 耐强腐蚀与耐等离子体冲刷：纯度越高，晶界处的低熔点杂质相就越少，在半导体强酸/强碱刻蚀或强等离子体轰击下，不易发生晶界腐蚀脱落（Flaking）。

2. 卓越的物理、电学与光学性能

• 超高电绝缘性与低介电损耗：在高温、高压和高频环境下依然保持极高的击穿电压与极低的介电损耗。

• 更高的力学强度与致密度：烧结后几乎无气孔，致密度可无限接近理论密度（$3.98text{ g/cm}^3$），弯曲强度与硬度比普通氧化铝大幅提升。

• 优异的光学透过性：高纯度避免了杂质引起的着色与光散射，可用于制造半透明或透明光学陶瓷。

3. 造粒粉特有的工艺优势（适合自动化成形）

• 极佳的球形度与流动性：通过喷雾造粒将超细 4N 粉体转化为高流动性的球形颗粒，非常适合自动化干压（Dry Pressing）和等静压（CIP）工艺。

• 生坯密度高且均匀：充填模具无死角，有效防止因压制不均导致的烧结开裂、变形或尺寸超差。

• 降低生产粉尘与污染风险：